半导体🂋加🜔工工艺，本质上就是一个在硅晶圆上，不断曝光，蚀刻的过程。
而这个工艺🀝的提升的过程🖿😖，就是曝光时所用的底片图案♞，不断进行增密的一个过程。
在大家的传统印象里，底片💦🔈的增密，就是底片精度的提高过程。增密底片图案，除了🖇提🔒高光刻机精度，就没有别的办法了吗
在我们的日常生活当中，有个不恰当的例子，🕿🏔那就是套色印刷或者是彩色打印。
三🆛🐒⚽色墨水，每个打印的精度都是相同的，但是三色重合打印，单色就变成🍛🈯🁴了彩色🚟
颜色的精度，就从单色的🖿😖8位，上升到了256位
在2005年之后，由于工艺制程的提升，最小可分辨特征尺🚸寸已经远远小于光源波长，利用duv光刻机已经无法一次刻蚀成型。
既然无法一次刻蚀成型，那就多刻蚀几次，每一次刻蚀♞一部分，然后拼凑成最终图案。
从每个部分图形的加工过程来说，用的都是原有的加工方法和设备，但🙦🌩🁲它可以实🚟现⚌🐃☶更高精度的芯片加工。
它就是多重图案化技术
多重😙🁵图案法就是将一个图形，分离成两个或者三个部分♞。每个部分按照🙦🌩🁲通常的制程方法进行制作。整个图形最后再合并形成最终的图层。
按🆛🐒⚽照这个理论，图形精度简直可以无限分🔬🃫🚱割下去。
但实际上，这个方案也有它的局限。
光刻机，做到了极限，是因为🝪🎀光🙘**长的缘故。
图案分割，做到最后，也会有这个问题。
当光罩上图形线宽尺寸接近光源🙘波长时，衍射🕿🏔将会十分明显。
光刻机内部光路对于光线的俘获能力是有限的，如果没有足够的能量到达光刻胶上，光刻胶将无法充分反应，使得其尺寸和厚度不能达到要求。
在后续的显影、刻蚀工艺中💦🔈起不到应有的作用，导致工艺的失🚸败。
所以用这个方法，步进到7n，就做不下去了。因为从原理上就出现了问题。
7n之后，必须使用euv光刻机，那个对中国禁运的光🈁刻机，就是这个道理。
在这个阶段，它还不是个问题。阻碍晶圆工艺进步的主要原因，来自生产设备，工艺，而不是原🕷理。
任何事情都有利有弊。
这种技术的优点非常突出。那🝪🎀就是不需改🔬🃫🚱变现有设备，或者是做很少的改变，就可以达到提高晶圆工艺的要求。
但弊端也很突出。